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用于自旋量子位读取的低温CMOS电流比较器

期刊:2022 Symposium on VLSI Technology & Circuits Digest of Technical Papers

本文档属于类型a,即报告了一项原创研究。以下是针对该研究的学术报告:


作者及机构
本研究由Hiroshi Fuketa、Ippei Akita、Tomohiro Ishikawa、Hanpei Koike和Takahiro Mori共同完成,他们均来自日本的国家先进工业科学技术研究所(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST)。该研究发表于2022年的IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits会议论文集。

学术背景
本研究的科学领域为量子计算(quantum computing),特别是自旋量子比特(spin qubit)的读取技术。量子计算机(quantum computers, QCs)被认为是解决大规模实际问题的关键工具,但实现这一目标需要高精度的量子比特读取技术。当前量子计算机的读取操作存在读取时间长、分辨率低的问题,尤其是在使用外部仪器进行电流传感时,由于长电缆引入的电容效应,读取速度显著降低。尽管反射测量技术(reflectometry)可以实现快速读取,但其面积和功耗开销较大。因此,本研究旨在通过低温CMOS(cryo-CMOS)技术设计一种新型电流比较器(current comparator),以在低温环境下实现快速、高精度的量子比特读取。

研究流程
本研究分为以下几个主要步骤:
1. 电路设计与实现
研究团队提出了一种基于电流积分器(current integrator)和相关双采样电路(correlation double sampling circuit, CDS)的低温CMOS电流比较器。该电路的前端包括一个高灵敏度电流积分器和一个CDS放大器,用于减少偏移和闪烁噪声(flicker noise),从而提高电流分辨率。电路设计参考了生物纳米传感器(bio-nanosensors)的电流读取电路,并在商用180纳米CMOS工艺中实现。

  1. 电路测试与评估
    在4K低温环境下,使用低温探针台(cryogenic probe station)对电路进行了测试。测试中,通过模拟电荷传感器的NMOSFET施加适当的偏置电压,使输入电流极小,从而仅测量比较器本身的噪声。通过测量输出电压为高的概率及其概率密度函数(probability density functions, PDFs),评估了电路的输出噪声和读取保真度(readout fidelity)。

  2. 性能分析
    研究团队通过实验数据分析了比较器的噪声特性,并确定了在目标读取保真度为99.9%时所需的最小传感电流和积分时间。通过与传统的低温读取电路和反射测量技术进行对比,验证了所提出电路在读取时间、分辨率和功耗方面的优势。

主要结果
1. 读取时间与分辨率
实验结果表明,所提出的电流比较器将读取时间缩短了约100倍,同时将电流分辨率提高了100倍,读取保真度达到99.9%。与传统的外部仪器读取系统相比,该电路在相同读取时间下实现了更高的分辨率。

  1. 噪声特性
    在4K低温环境下,比较器的噪声特性通过PDFs进行了量化。实验数据显示,随着积分时间的增加,噪声显著降低,从而支持高保真度的读取操作。

  2. 性能对比
    与传统的低温读取电路相比,所提出的电流比较器在面积和功耗方面显著优化。例如,其面积仅为0.08 mm²,功耗为64 mW,远低于反射测量技术的面积和功耗。此外,该电路在性能指标(figure-of-merit, FOM)上达到了最优值。

结论
本研究成功设计并验证了一种基于低温CMOS技术的电流比较器,用于自旋量子比特的读取。该电路在读取时间、分辨率和保真度方面均优于传统读取系统,同时显著降低了面积和功耗。这一成果不仅证明了低温CMOS技术在量子计算系统中的潜力,还为未来量子计算机的高效读取操作提供了重要的技术基础。

研究亮点
1. 创新性电路设计
所提出的电流比较器结合了电流积分器和相关双采样电路,有效提高了电流分辨率和读取速度。

  1. 低温环境验证
    电路在4K低温环境下进行了全面测试,验证了其在极端条件下的可靠性和性能。

  2. 显著性能提升
    与传统读取系统相比,该电路在读取时间、分辨率和功耗方面均实现了显著优化,为量子计算系统的实用化提供了重要支持。

其他价值
本研究的成果不仅对量子计算领域具有重要意义,还可能为其他需要高精度电流测量的应用(如生物传感器和纳米电子学)提供技术参考。此外,所提出的电路设计方法为低温CMOS技术的发展提供了新的思路。


以上是本研究的详细报告。

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