極端な量子閉じ込めを備えたスケーリングされた垂直ナノワイヤーヘテロ接合トンネルトランジスタ
高度量子閉じ込め下での垂直ナノワイヤ・ヘテロ接合トンネルトランジスタによる高性能・低エネルギー電子デバイスの新たなブレークスルー 学術背景 データ集約型計算や人工知能の急速な発展により、電子デバイスのエネルギー効率に対するさらなる高い要求が生じています。しかし、従来のシリコンベースのコンプリメンタリ金属酸化膜半導体(CMOS)技術は、物理的限界により、理想的な性能と消費電力のバランスを実現するためのさらなるサイズ縮小が困難です。これらの制約には、短チャネル効果やソース・ドレイン間の直接トンネル効果による最小ゲート長の制限、またフェルミ・ディラック(Fermi-Dirac)電子統計に由来する60 mV/decのサブスレッショルドスイング(Subthreshold Swing, SS)熱限界、い...