高生成率での効率ロールオフが抑制されたインターカレート遷移金属ダイカルコゲナイドに基づく発光ダイオード

挿入層遷移金属ジカルコゲニドに基づく高生成率での効率低下が抑えられた発光ダイオード(LEDs)の研究 背景と研究意義 近年、2次元(2D)材料を基盤とした発光ダイオード(LEDs)は、ディスプレイ技術、光通信、ナノ光源などの分野で注目を集めています。しかし、2D材料の強い量子閉じ込め効果と減少した誘電体遮蔽効果により、高生成率下では2D材料LEDに「効率低下」(Efficiency Roll-Off, ERO)が生じる課題が存在します。この現象は主に励起子-励起子消滅(Exciton-Exciton Annihilation, EEA)プロセスに起因します。このプロセスは、ある励起子が別の励起子を非放射的に解離させ、エネルギーを放出するオージェ再結合(Auger recombination)...