基于单片3D IGZO-RRAM-SRAM集成架构实现稳健且高效的计算存储
基于单片集成的三维IGZO-RRAM-SRAM计算存储新架构研究:提高神经网络计算效率的突破 背景与研究动机 随着神经网络(Neural Network, NN)在人工智能领域应用的不断深入,传统计算架构难以满足其在能耗、速度和密度方面的需求。这促使研究者将目光投向计算存储(Compute-In-Memory, CIM)芯片技术。CIM通过将计算单元与存储单元集成在一个架构中,避免大量数据在存储与计算单元间传递的“存储墙”效应,从而显著提高系统效率。已有CIM架构主要基于静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)、电阻随机存取存储器(Resistive Random Access Memory, RRAM)和氧化铟镓锌(Indium-Galliu...