学术背景 金属卤化物钙钛矿（Metal Halide Perovskites, MHPs）因其独特的光电特性在光伏领域备受关注。近年来，这些材料在发光二极管、激光器、光电探测器和自旋电子学等领域的应用也得到了广泛研究。然而，尽管在溶液法（solution-processed）制备的钙钛矿薄膜方面取得了显著进展，关于气相法（vapor-phase deposition）制备的钙钛矿薄膜的外延生长（epitaxial growth）研究仍然较少。外延生长是一种能够实现单晶薄膜生长的技术，对于理解材料的基本物理性质以及开发高性能器件至关重要。本文旨在通过脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition, PLD）技术，在室温下实现α-CH3NH3PbI3（甲基铵铅碘钙钛矿）的外延生长，...