高增益多频段圆极化双层超表面贴片阵列天线设计

高增益多频段圆极化双层超表面贴片阵列天线设计

高增益多频带圆极化双层超表面贴片阵列天线设计研究 学术背景与研究动机 太赫兹(Terahertz, THz)频段通信近年来因其在无线通信系统中扩展带宽的潜力而受到广泛关注。然而,太赫兹系统的应用面临诸多挑战,其中信号衰减和带宽不足是主要问题。为了解决这些问题,设计高性能天线成为关键。传统的微带天线虽然具有简单的设计,但其窄带宽和低增益限制了其在太赫兹频段的应用。此外,圆极化(Circular Polarization, CP)技术能够有效减少发射器和接收器之间的极化失配,从而提高通信质量。 为了应对上述挑战,研究人员提出了一种结合双馈贴片阵列天线和双层超表面(Metasurface)的新型设计。这种设计旨在实现高增益、多频带圆极化特性,并通过优化天线结构和材料选择来提升性能。本研究的目标是开...

CMOS兼容的应变工程用于单层半导体晶体管

CMOS兼容的应变工程在单层半导体晶体管中的应用 学术背景 随着半导体技术的不断发展,二维(2D)材料因其原子级薄层特性在高密度、低功耗电子器件中展现出巨大潜力。特别是过渡金属二硫化物(TMDs),如二硫化钼(MoS₂),因其优异的电学性能,被认为是未来晶体管通道的理想材料。然而,尽管2D材料在实验室中表现出色,如何将其与现有的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术兼容,仍然是一个巨大的挑战。 应变工程(Strain Engineering)在现代硅基电子器件中已经发挥了重要作用。自20世纪90年代引入以来,应变工程通过改变材料的能带结构,显著提高了晶体管的载流子迁移率。然而,如何在2D材料中实现类似的应变效应,尤其是在CMOS兼容的工艺条件下,仍然是一个未解决的问题。本文的研究正是为了解决这...