2Dトランジスタにおける高κ酸化ガリウムの統合に関する研究 学術的背景 半導体技術の進展に伴い、二次元材料（例えばモリブデン二硫化物、MoS₂）はその独特な電気的特性と原子レベルの厚さから、次世代トランジスタチャネル材料の有力候補とされています。しかし、2Dトランジスタの性能はゲート絶縁層の品質に大きく依存します。現在一般的な蒸着技術（例えば、化学気相堆積（CVD）や原子層堆積（ALD））では、2D材料表面に高品質な超薄金属酸化物層を形成することが困難であり、その結果、界面品質が低下しトランジスタの性能に悪影響を及ぼします。そのため、2D材料表面で高品質な超薄絶縁層を形成する新たな方法が必要とされています。 研究の出典 この研究は、多機関に所属する研究チームによって共同で行われました。著者に...

三次元トランジスタ研究：2D半導体材料を核とした未来のCMOS技術の発展 近年、シリコンベースの相補性金属酸化膜半導体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）技術がその物理的限界に近づく中、次世代のマイクロエレクトロニクス技術におけるミニaturization（微細化）と性能向上が多くの課題に直面しています。ナノメートルスケールでオン・オフ電流比(on–off current ratio)を維持し、集積密度を高めながらエネルギー効率を向上させることが、学術界および産業界で緊急に解決すべき課題となっています。本研究では、これらの背景を踏まえ、ポストシリコン時代のCMOS技術の鍵となる導電チャネル材料として、二次元(2D)の遷移金属ジカルコゲ...