二维晶体管中高κ氧化镓的集成研究 学术背景 随着半导体技术的不断进步，二维材料（如二硫化钼，MoS₂）因其独特的电学性能和原子级厚度，被认为是下一代晶体管通道材料的潜在候选者。然而，二维晶体管的性能在很大程度上依赖于栅极介电层的质量。传统的沉积技术（如化学气相沉积CVD和原子层沉积ALD）在二维材料表面沉积超薄金属氧化物时，往往难以形成均匀的介电层，导致界面质量差，进而影响晶体管的性能。因此，开发一种能够在二维材料表面形成高质量、超薄介电层的方法，成为了当前研究的热点。 研究来源 这项研究由来自多个机构的科研团队共同完成，主要作者包括Kongyang Yi、Wen Qin、Yamin Huang等，研究团队来自新加坡南洋理工大学、南京航空航天大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、美国德...