高利得マルチバンド円偏波二層メタサーフェスパッチアレーアンテナの設計

高利得マルチバンド円偏波二層メタサーフェスパッチアレーアンテナの設計

高利得マルチバンド円偏波二層メタサーフェスパッチアレイアンテナの設計研究 学術的背景と研究動機 テラヘルツ(Terahertz, THz)帯通信は、近年、無線通信システムにおける帯域幅拡大の可能性により大きな注目を集めています。しかし、テラヘルツシステムの応用には多くの課題があり、信号減衰や帯域不足が主な問題となっています。これらの問題を解決するために、高性能アンテナの設計が鍵となります。従来のマイクロストリップアンテナはシンプルな設計ですが、狭帯域で低利得という特徴があり、テラヘルツ帯での応用が制限されています。さらに、円偏波(Circular Polarization, CP)技術は、送信機と受信機間の偏波ミスマッチを効果的に減少させ、通信品質を向上させることが可能です。 これらの課題に...

CMOS互換の単層半導体トランジスタのための歪みエンジニアリング

CMOS互換のひずみ工学を単層半導体トランジスタに適用 学術的背景 半導体技術の進化に伴い、2次元(2D)材料はその原子レベルの薄さから、高密度・低電力の電子デバイスにおいて大きな可能性を示しています。特に、二硫化モリブデン(MoS₂)などの遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDs)は、優れた電気的特性から、将来のトランジスタチャネル材料として期待されています。しかし、2D材料が実験室レベルで優れた性能を示す一方で、既存のCMOS(相補型金属酸化膜半導体)技術との互換性をどのように実現するかは、依然として大きな課題です。 ひずみ工学(Strain Engineering)は、現代のシリコンベースの電子デバイスにおいて重要な役割を果たしてきました。1990年代に導入されて以来、ひずみ工学は材料のバ...