C-BN/金刚石异质结构的结构和化学分析
学术背景 立方氮化硼(C-BN)是一种超宽带隙半导体材料,具有极高的热导率、低介电常数和高击穿电场,因此在高温、高功率电子器件中具有广泛的应用前景。然而,C-BN的合成仍然面临诸多挑战,尤其是如何在大尺寸基底上实现高质量的单晶C-BN薄膜的生长。金刚石由于其与C-BN的晶格失配较小(1.36%),被认为是C-BN外延生长的理想基底。尽管如此,C-BN/金刚石异质结构的合成仍然处于早期发展阶段,尤其是在如何减少缺陷密度和提高薄膜质量方面,仍然存在许多未解之谜。 本研究旨在通过电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR PECVD)技术,在硼掺杂的金刚石基底上生长C-BN薄膜,并通过透射电子显微镜(TEM)和电子能量损失谱(EELS)等手段,详细分析薄膜的形貌特征、缺陷类型以及化学键合状态。研...