Rapport sur une étude portant sur l’intégration de l’oxyde de gallium à haute constante diélectrique pour les transistors bi-dimensionnels Contexte académique Avec les progrès constants dans la technologie des semi-conducteurs, les matériaux bidimensionnels (comme le disulfure de molybdène, MoS₂) sont considérés comme des candidats potentiels pour ...