2D材料集積フォトニクス:産業製造と商業化に向けて

学術的背景 情報時代の到来に伴い、集積回路(Integrated Circuits, ICs)は技術進歩を推進する中核的な力となっています。しかし、従来の集積フォトニクスプラットフォーム(シリコン、窒化シリコンなど)は材料特性に多くの制限があります。例えば、シリコンの間接バンドギャップはレーザーアプリケーションでの使用を制限し、シリコンの近赤外波長域での強い二光子吸収は非線形光学アプリケーションでの性能を制限しています。これらの制限を克服するため、研究者たちは優れた光学特性を持つ二次元材料(2D Materials)をフォトニックチップに統合することを探求し始めました。グラフェン(Graphene)、遷移金属ダイカルコゲナイド(Transition Metal Dichalcogenides...

マルチモード干渉に基づくフォトニック結晶マッハツェンダー干渉計(DE)インターリーバーの概念設計

研究背景と問題提起 現代の光通信技術の急速な発展に伴い、波長分割多重(WDM)システムは高容量で多機能な光学ネットワークを実現する上で中核的な役割を果たしています。(解)インターリーバーは、波長解復用構造の主要コンポーネントとして、複数の波長信号を効率的に分離し、ネットワーク設計においてより大きな柔軟性や高いチャネル数のサポートを提供します。しかし、従来のマッハツェンダー干渉計(Mach-Zehnder Interferometer, MZI)の設計には、入力および出力カプラに関連する顕著な欠点があり、特にカプラ構造が波長に強く依存しているため性能が制限されています。さらに、平坦な伝送スペクトルと低クロストークを実現することは現在の研究における重要な課題です。 これらの問題に対処するため、イ...

780 nmでの超狭線幅ハイブリッド集積セルフインジェクションロックレーザー

超狭帯域混合集成自己注入ロック式780nmレーザーに関する研究報告 研究背景 現代科学技術において、狭帯域レーザーは多様な用途で非常に重要な役割を果たしています。これには、古典的および量子センシング、イオン捕捉系、位置測定/ナビゲーション/タイミングシステム、オプティカルクロック、マイクロ波周波数合成器などが含まれます。特に可視光および近赤外光スペクトル範囲における低ノイズレーザーは、量子計算、センシング、原子時計に使用されるレーザービームの束縛および冷却技術のために重要です。本研究では、780nmの動作波長で混合集成された狭帯域レーザーを示し、105Hzの自己異なり帯域幅を実現しました。この研究は、Hzレベルの狭帯域レーザー技術の実現可能性を示すだけでなく、将来の探求のための基礎も築いてい...