Transistors à effet de champ de type p haute performance utilisant le dopage par substitution et le contrôle de l'épaisseur des matériaux bidimensionnels

Physique, Physique de la matière condensée, Ingénierie, Génie électrique, Science des matériaux, Sciences de l'information, Semi-conducteurs et dispositifs d'information,
matériaux bidimensionnels   transistors à effet de champ de type p   dopage par substitution   contrôle de l'épaisseur   résistance de contact   effets de confinement quantique   dichalcogénures de métaux de transition  

Transistors à effet de champ p-types haute performance : dopage substitutionnel et contrôle d’épaisseur des matériaux bidimensionnels Contexte académique Avec le développement continu de la technologie des semi-conducteurs, les transistors à effet de champ (FETs) en silicium approchent leurs limites physiques en termes de performances. Pour surpass...