Transistors tridimensionnels avec des semi-conducteurs bidimensionnels pour la mise à l'échelle future des CMOS

Chimie, Nanosciences, Ingénierie, Génie électrique, Science des matériaux, Sciences de l'information, Semi-conducteurs et dispositifs d'information,
semi-conducteurs 2D   transistors 3D   technologie CMOS   simulations de transport quantique   efficacité énergétique   mise à l'échelle nanométrique   dichalcogénures de métaux de transition  

Rapport sur un article scientifique : Transistors tridimensionnels à base de semi-conducteurs bidimensionnels pour l’avenir du CMOS Contexte et objectif de la recherche Dans un contexte où la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) à base de silicium approche ses limites physiques, cette étude se concentre sur l’exploration des m...

Transistors à effet de champ de type p haute performance utilisant le dopage par substitution et le contrôle de l'épaisseur des matériaux bidimensionnels

Physique, Physique de la matière condensée, Ingénierie, Génie électrique, Science des matériaux, Sciences de l'information, Semi-conducteurs et dispositifs d'information,
matériaux bidimensionnels   transistors à effet de champ de type p   dopage par substitution   contrôle de l'épaisseur   résistance de contact   effets de confinement quantique   dichalcogénures de métaux de transition  

Transistors à effet de champ p-types haute performance : dopage substitutionnel et contrôle d’épaisseur des matériaux bidimensionnels Contexte académique Avec le développement continu de la technologie des semi-conducteurs, les transistors à effet de champ (FETs) en silicium approchent leurs limites physiques en termes de performances. Pour surpass...

Diodes électroluminescentes basées sur des dichalcogénures de métaux de transition intercalés avec une réduction du roulis d'efficacité à des taux de génération élevés

Chimie, Nanosciences, Ingénierie, Génie électrique, Science des matériaux, Sciences de l'information, Semi-conducteurs et dispositifs d'information,
diodes électroluminescentes   dichalcogénures de métaux de transition   roulis d'efficacité   annihilation exciton-exciton   photoluminescence   électroluminescence   efficacité quantique  

Diodes Électroluminescentes Basées sur des Dichalcogénures de Métaux de Transition Intercalés pour un Fonctionnement sans Perte d’Efficacité à Hauts Taux de Génération Contexte et Importance de l’Étude Ces dernières années, les diodes électroluminescentes (LEDs) basées sur des matériaux bidimensionnels (2D) suscitent un vif intérêt dans des domaine...

Intégration monolithique 3D basée sur la croissance de semi-conducteurs 2D monocristallins

Chimie, Nanosciences, Ingénierie, Génie électrique, Science des matériaux, Sciences de l'information, Semi-conducteurs et dispositifs d'information,
intégration 3D   croissance monocristalline   semi-conducteurs 2D   dichalcogénures de métaux de transition   traitement à basse température  

Intégration monolithique 3D basée sur la croissance de semi-conducteurs 2D monocristallins Contexte académique Avec le développement rapide de l’industrie électronique moderne, la technologie d’intégration tridimensionnelle (3D) est devenue un moyen essentiel pour améliorer les performances des dispositifs électroniques. Les circuits intégrés bidim...