Phases de Hall quantique fractionnaire dans des transistors au disulfure de molybdène de type n à haute mobilité
Rapport académique sur une publication en électronique basée sur les phases de Hall quantique fractionnel dans des transistors au disulfure de molybdène (MoS₂) de type n à haute mobilité Contexte et motivation de l’étude À basse température, les transistors basés sur des dichalcogénures de métaux de transition semi-conducteurs (TMDs) offrent des pr...