具有频率可调性和低相位噪声的光电微波合成器

具有频率可调性和低相位噪声的光电微波合成器

光电微波合成器——频率可调性与低相位噪声的结合 学术背景 在现代通信、导航和雷达系统中,频率可调且低噪声的微波源是至关重要的。传统的电子微波合成器虽然能够提供频率可调性,但其相位噪声较高,限制了其在精密应用中的使用。相比之下,基于光子学的微波合成器利用高光谱纯度激光和光学频率梳,能够生成极低相位噪声的微波信号。然而,光子学方法通常缺乏频率可调性,并且系统体积大、功耗高,限制了其广泛应用。 为了解决这些问题,本文提出了一种混合光电方法,结合了简化的光学频率分割(Optical Frequency Division, OFD)和直接数字合成(Direct Digital Synthesis, DDS)技术,生成了在整个X波段(8-12 GHz)内可调的低相位噪声微波信号。该研究不仅解决了传统光子...

基于实时神经网络的智能耳机系统创建可编程声泡

探讨“声泡”与未来耳戴式设备:基于实时神经网络的创新研究 在日常生活中,噪声和复杂音景 (Acoustic Scene) 经常造成话语难以辨别,特别是在拥挤的环境中,例如餐厅、会议室或飞机上。传统的降噪耳机虽然能在一定程度上抑制环境噪声,但无法区分音源的距离,亦无法根据特定音源的空间位置精准塑造声场。基于此背景,来自华盛顿大学Paul G. Allen计算机科学与工程学院、微软以及AssemblyAI的团队开展了一项重要研究。他们开发了一套能够创建“声泡”(Sound Bubbles)的智能耳戴式设备,借助多通道麦克风阵列及实时嵌入式神经网络,解决了上述困境。本文发表在《Nature Electronics》2024年11月期,展示了这项研究在听觉增强领域的重要突破和技术实现。 技术背景与科...

基于多光电晶体管-单忆阻器阵列的可重构传感器内处理

基于多光晶体管-单忆阻器阵列的可重构传感器内处理:一种融合机器学习与类脑神经网络的新型视觉计算平台 学术背景及问题提出 人工视觉系统作为智能边缘计算的重要组成部分,长期以来受到传统基于CMOS(互补金属氧化物半导体)技术与冯·诺依曼架构的限制。这类系统的图像处理效率受制于独立的图像传感器、存储模块以及处理器之间的物理分离。这种分离导致大量数据冗余和信号处理延迟,增加了电路复杂性和功耗问题,限制了实时处理能力。在自然环境中,传统视觉系统需要完成从信号捕获到图像处理的一系列繁杂过程,但其效率有限。 近年来,传感器内计算(in-sensor computing)这一融合感知与计算的新型架构,由于其具备内存计算(in-memory computing)和神经形态特性,逐渐受到关注。在此领域,光学神经...

基于光电偏振特征向量的片上全斯托克斯偏振计

基于光电偏振特征向量的片上全斯托克斯偏振计研究 学术背景 光的偏振态在光学通信、生物医学诊断、遥感、宇宙学等多个领域中具有重要的应用价值。斯托克斯矢量(Stokes vector)是描述光偏振态的四个参数,能够完整地反映光的强度和偏振状态。传统的偏振计通常依赖于离散的光学元件,如棱镜、透镜、滤波器和波片等,这些元件体积庞大,限制了偏振计的小型化和广泛应用。近年来,随着纳米光子学和超表面(metasurface)技术的发展,研究人员开始探索基于超表面的紧凑型偏振计。然而,现有的超表面偏振计在红外波段的应用中面临诸多挑战,如像素对齐问题、光学串扰以及红外吸收等。 为了解决这些问题,本文提出了一种基于光电偏振特征向量(optoelectronic polarization eigenvector,...

高性能p型场效应晶体管:二维材料的替代掺杂与厚度控制

高性能p型场效应晶体管:二维材料的替代掺杂与厚度控制 学术背景 随着半导体技术的不断发展,硅基场效应晶体管(FET)在性能提升方面逐渐接近物理极限。为了突破这一瓶颈,研究人员开始探索二维(2D)材料作为硅的潜在替代品。二维过渡金属二硫属化物(TMDs),如二硫化钼(MoS₂)、二硒化钼(MoSe₂)和二硒化钨(WSe₂),因其原子级平滑的表面和优异的电学性能,成为研究的热点。然而,尽管n型二维FET取得了显著进展,p型二维FET的发展却相对滞后。这主要是由于金属-二维材料接触界面处的费米能级钉扎效应,导致p型载流子注入效率低下,接触电阻(Rc)较高。 本文的研究旨在通过替代掺杂和厚度控制,解决p型二维FET的性能瓶颈问题。具体来说,作者通过在MoSe₂和WSe₂中引入钒(V)、铌(Nb)和钽...

基于极端量子限制的垂直纳米线异质结隧穿晶体管

超量子限域下垂直纳米线异质结隧道晶体管实现高性能低能耗电子器件的新突破 学术背景 集数据密集型计算和人工智能的快速发展对电子器件能效提出了更高的需求。然而,目前传统硅基互补金属氧化物半导体(CMOS)技术由于受物理极限的制约,已难以通过尺寸进一步缩小实现理想性能和功耗的平衡。这些限制包括短沟道效应和直接源漏隧穿效应所引发的最小栅长限制,以及受费米-狄拉克(Fermi-Dirac)电子统计学制约的60 mV/dec的亚阈值摆幅(subthreshold swing, SS)热极限,亦称为”玻尔兹曼暴政”。因此,为实现下一代高性能计算设备对低能耗、高驱动电流和小占用面积的需求,科学家们正在寻求超越传统MOSFET设计的新型晶体管架构。 其中,隧道场效应晶体管(TFET)因其实现深亚热学开启特性和...

基于单换能器的可穿戴回声肌电图系统

穿戴式单一声波肌电图系统的创新突破:从肌肉动态监测到复杂手势跟踪 学术背景与研究意义 近年来,穿戴式电子设备因其在健康监测和人机交互领域中的巨大潜力而备受关注。其中,表面肌电图(Electromyography,EMG)作为一种能够测量肌肉活动的技术,已成为研究的热点。然而,EMG 信号存在诸多限制:信号强度弱且不稳定,空间分辨率较低,且信噪比不佳。其随机性和低同步性的问题导致测量结果的不一致,使得难以实现对特定肌肉纤维贡献的有效分离。此外,为提高信号质量所采用的大型电极会进一步降低空间分辨率。 相比之下,超声波肌电图(Echomyography,ECMG)是一种利用超声波来测量肌肉活动的技术,具有安全、稳定、灵敏度高等特点。然而,目前依赖刚性或柔性传感器阵列的 ECMG 系统需要复杂的线路...

使用范德华金属阴极实现模拟开关和高开关比的忆阻器

基于二维范德华金属阴极的模拟电阻开关存储器研究 学术背景 随着人工智能(AI)应用的快速发展,传统的冯·诺依曼架构在数据密集型计算任务中面临性能瓶颈。神经形态计算(neuromorphic computing)作为一种新兴的计算范式,能够以更高的速度和效率处理数据密集型任务。在这一领域中,忆阻器(memristor)因其能够实现内存计算和模拟计算而备受关注。特别是具有多级电导状态的模拟忆阻器,能够显著提高神经形态计算的效率。然而,现有的模拟忆阻器通常具有较小的开关比(on/off ratio),这限制了其在高精度权重映射中的应用。 为了解决这一问题,研究人员一直在探索如何提高模拟忆阻器的开关比,同时保持其多级电导状态。传统的忆阻器主要分为两类:基于价态变化机制(valence-change-...

基于插层过渡金属二硫化物的高效发光二极管

基于插层过渡金属二硫族化合物的高发射率下无效率衰减的发光二极管研究 背景与研究意义 近年来,基于二维(2D)材料的发光二极管(LEDs)在显示技术、光通信和纳米光源等领域的应用前景备受瞩目。然而,由于二维材料的强量子限域效应与减弱的介电屏蔽,二维材料LEDs在高激发生成率下常出现“效率衰减”(Efficiency Roll-Off)的现象。这种现象主要归因于激子-激子湮灭(Exciton-Exciton Annihilation, EEA)过程,该过程是一种类似俄歇复合的非辐射能量耗散机制。具体表现为:一个激子通过能量转移导致另一个激子离子化,同时导致辐射效率急剧降低。 尽管已有研究通过六方氮化硼(hBN)包覆和高κ基底等介电工程手段来减弱EEA,如在单层过渡金属二硫族化合物(TMDs)中实...

高迁移率n型二硫化钼晶体管中的分数量子霍尔相

高迁移率 n 型二硫化钼晶体管中分数量子霍尔相研究 背景与研究动机 在低温下,基于半导体过渡金属二硫属化物(Transition Metal Dichalcogenides, TMDs)的晶体管理论上可提供高载流子迁移率、强自旋轨道耦合和内在的强电子相互作用。这使其成为探索多体电子相互作用和量子态的理想平台。然而,由于在极低温下实现与 TMD 材料的鲁棒欧姆接触(Ohmic Contact)的挑战,长期以来,尚无法全面研究费米水平接近能带边缘情况下电子关联的特性,特别是在部分填充 Landau 能级(Landau Levels, LLs)下的分数量子霍尔(Fractional Quantum Hall, FQH)现象。 本文作者提出了一种“窗口接触技术”,成功实现了从毫开尔文到室温范围内的 ...